彎盤(pán)法的基本原理與懸臂梁法相同，也是利用基片的形變測(cè)定內(nèi)應(yīng)力的。所不同的是基片為圓形，在沉積薄膜前后測(cè)量基片的曲率半徑Rl和R2，然后根據(jù)下式計(jì)算出薄膜中的內(nèi)應(yīng)力。

    為了保證測(cè)試系經(jīng)有較高的靈敏度，需要選用合適的基片和檢測(cè)方法。現(xiàn)在常用的基片是玻璃、石英、單晶硅等，基片的表面要進(jìn)行光學(xué)拋光。
    在沉積前后，將基片放在石英板的光學(xué)平面上，測(cè)M其曲率半徑，其中最常用的是牛頓環(huán)法，圖7一8是其檢測(cè)原理圖。把試樣放在光學(xué)平面上后，用垂直于表面的光照射，這時(shí)在試樣表面和光學(xué)平面之間由于光的干涉而產(chǎn)生牛頓環(huán)，測(cè)量牛頓環(huán)的間隔就可以測(cè)定基片的曲率半徑，從而算出內(nèi)應(yīng)力。